Varaseim LED-valgusallikas, mis kasutas pooljuht-P-N-siirde valgust kiirgavat-põhimõtet, leiutati 1960. aastate alguses. Sel ajal kasutatud materjal oli GaAsP, mis kiirgas punast valgust (λp{4}}nm). Juhtvoolu 20 mA korral oli valgusvoog vaid mõni tuhandik luumenist, mille tulemuseks oli valgusefektiivsus ligikaudu 0,1 luumenit vati kohta.
1970. aastate keskel võimaldas In- ja N-elementide kasutuselevõtt LED-idel toota rohelist (λp=555nm), kollast (λp=590nm) ja oranži (λp=610nm) valgust ning valgusefektiivsust suurendati 1 luumenini vati kohta.
1980. aastate alguses ilmusid GaAlAs LED-valgusallikad, mis võimaldasid punastel LED-idel saavutada valgustugevust 10 luumenit vati kohta.
1990. aastate alguses parandas kahe uue materjali -GaAlInP (kiirgab punast ja kollast valgust) ja GaInN (kiirgavad rohelist ja sinist valgust)- edukas väljatöötamine LED-ide valgustõhusust märkimisväärselt. 2000. aastal tootsid esimesed LED-id, mille valgusefektiivsus oli 100 luumenit vati kohta punases ja oranžis piirkonnas (λp{6}}nm), samas kui viimane tootis LED-e, mille valgustõhusus oli 50 luumenit vati kohta rohelises piirkonnas (λp=530menm).
